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2.本文正极使用一种富氟（F）的界面层，首批其中F阴离子能够在4.3V时从NMC811表面层迁移到NMC811体相中，首批从而使得表明涂覆转化为F掺杂，最终使得NMC811从表面到体相的材料稳定性得到大幅度提高。如何高效构建正负极同时稳定的界面设计，用场应用促使NMC811||LiASSLB即使在低堆叠压力下也能实现优异电化学性能，这是促进ASSLBs商业化进程的关键环节。
由于Mg16Bi84使Li6PS5Cl在1.9 mA cm-2和1.9 mAh cm-2下达到最高的临界电流密度（CCD），景河选择它来研究Li沉积/剥离活化过程中的Mg迁移过程。
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